據報道，紫光集團旗下長江存儲宣佈，在上海中國國際半導體博覽會舉行前夕，已開始量產基於XtackingR架構的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。

所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來，形成多層結構提供容量，使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。相比傳統三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。

未來，隨着雲計算、大數據、5G技術及AI智能的發展，人類對數據存儲要求越來越挑剔，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域。目前，存儲芯片市場競爭異常激烈。2018年，64層、72層的3D NAND閃存是主力產品，2019年開始量產92層、96層的產品，到2020年，各大廠商預計進入128層3D NAND閃存的量產。長江存儲64層三維閃存產品的量產有望使中國存儲芯片自產率從8%提升至40%。在美日韓如三星、海力士、東芝、西部數據、美光、英特爾等巨頭大廠壟斷下，長江存儲的64層3D NAND閃存量產消息別具一格。